IXYS IXFY8N65X2

• Fabricante IXYS
  
• Tipo de transístor N-MOSFET
  
• Tecnologia HiPerFET™,  X2-Class
  
• Polarização unipolar
  
• Tensão dreno-fonte 650V
  
• Corrente de dreno 8A
  
• Potência dissipada 150W
  
• Carcaça TO252
  
• Tensão porta-fonte ±30V
  
• Resistência no estado de condução 450mΩ
  
• Montagem SMD
  
• Carga da porta 11nC
  
• Espécie de embalagem tubo
  
• Espécie de canal enriquecido
  
• Tempo de prontidão 105ns
  
• Peso bruto: 0.309 g