STMICROELECTRONICS STP6N60M2

• Fabricante STMicroelectronics
  
• Tipo de transístor N-MOSFET
  
• Tecnologia MDmesh™ || Plus
  
• Polarização unipolar
  
• Tensão dreno-fonte 600V
  
• Corrente de dreno 2.9A
  
• Potência dissipada 60W
  
• Carcaça TO220-3
  
• Tensão porta-fonte ±25V
  
• Resistência no estado de condução 1200mΩ
  
• Montagem THT
  
• Espécie de embalagem tubo
  
• Espécie de canal enriquecido
  
• Propriedades de dispositivos semicondutores  ESD protected gate
  
• Peso bruto: 0.077 g