Infineon Technologies SPP20N60C3

• Fabricante: Infineon;
• Categoria de produto: MOSFET;
• Tecnologia: Si;
• Estilo de montagem: Orifício de passagem;
• Caixa / Gabinete: TO-220-3;
• Polaridade do transistor: Canal N;
• Número de canais: 1 canal;
• Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 600 V;
• Id - Corrente de drenagem contínua: 20.7 A;
• Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 190 mOhms;
• Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V;
• Temperatura operacional mínima: - 55 C;
• Temperatura operacional máxima: + 150 C;
• Pd - Dissipação de potência: 208 W;
• Modo de canal: realce;
• Nome comercial: CoolMOS;
• Embalagem: Tubo;
• Configuração: Single;
• Altura: 15,65 mm;
• Comprimento: 10 mm;
• Série: CoolMOS C3;
• Tipo de transistor: 1 canal N;
• Largura: 4,4 mm;
• Tempo de queda: 4,5 ns;
• Tempo de ascensão: 5 ns;
• Tempo de retardo de desligamento típico: 67 ns;
• Tempo típico de ativação / retardo: 10 ns;
• Aliases de núm de peça: SPP2N6C3XK SP000013527 SPP20N60C3HKSA1;
• Peso unitário: 2 g.