TRANSISTOR
2SD1918
- Fabricante: ROHM Semiconductor
- Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT;
- Estilo de montagem: SMD/SMT;
- Caixa / Gabinete: CPT-3;
- Polaridade do transistor: NPN;
- Configuração: Single;
- Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 160 V;
- Coletor VCBO de voltagem básica: 160 V;
- Emissor - VEBO de tensão de base: 5 V;
- Corrente do coletor DC máxima: 1.5 A;
- Pd - Dissipação de potência: 1000 mW;
- Produto fT da largura de banda de ganho: 80 MHz;
- Temperatura operacional mínima: - 55 C;
- Temperatura operacional máxima: + 150 C;
- hFE máx. de ganho de corrente DC: 120 at 100 mA, 5 V;
- Altura: 2.3 mm;
- Comprimento: 6.5 mm;
- Tecnologia: Si;
- Largura: 5.5 mm;
- Tensão do coletor contínua: 1.5 A;
- Coletor DC/Ganho base hfe Min: 120;
- Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors;
- Quantidade do pacote de fábrica: 2500;
- Subcategoria: Transistors;
- Peso unitário: 260,400 mg.