TRANSISTOR N MOSFET 100V 63A 140W

IRLR3110
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MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC 

IRLR3110

- Fabricante: Infineon

. Categoria de produto: MOSFETs

- Tecnologia: E

- Estilo de montagem: SMD/SMT

- Caixa / Gabinete: DPAK-3 (TO-252-3)

- Polaridade do transistor: Canal N

- Número de canais: 1 canal

- Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 100V

- Id - Corrente de drenagem contínua: 63 A

- Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 12 mOhms

- Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V

- Tensão de limite porta e fonte: 2,5 V

- Qg - Carga na porta: 34 nC

- Temperatura operacional mínima: - 55°C

- Temperatura operacional máxima: + 175 °C

- Pd - Dissipação de potência: 140 W

- Modo de canal: Aprimoramento

- Embalagem: Carretel

- Embalagem: Cortar fita

- Embalagem: MouseReel

- Marca: Tecnologias Infineon

- Configuração: Solteiro

- Tempo de queda: 48 ns

- Transcondutância em avanço - Mín: 52 S

- Altura: 2,3 milímetros

- Comprimento: 6,5 milímetros

- Tempo de ascensão: 110 ns

- Tipo de transistor: 1 canal N

- Tempo de retardo de desligamento típico: 33 ns

- Tempo típico de ativação/retardo : 24 ns

- Largura: 6,22 milímetros

- Peso unitário: 330 mg