Fabricante: IXYS;
Tipo de transístor: N-MOSFET;
Tecnologia. Polar™;
Polarização: unipolar;     
Tensão dreno-fonte: 500V;     
Corrente de dreno: 5A;
Potência dissipada: 90W;     
Carcaça: TO252;
Tensão porta-fonte: ±30V;     
Resistência no estado de condução: 1.4Ω;     
Montagem: SMD;
Carga da porta: 12.6nC;     
Espécie de canal: enriquecido;     
Tempo de prontidão: 400ns;
Peso bruto: 0.316 g.