- -Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

- Embalagem: Tubo

- Part Status: Obsoleto

- Tipo de FET: Canal N

- Tecnologia: MOSFET (óxido metálico)

- Tensão dreno-fonte (Vdss): 600 V

- Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C: 18A (Tc)

- Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V

- Rds on (máx.) para Id, Vgs: 190mOhm a 3,7A, 10V

- Vgs(th) (máx.) para Id: 4V a 250µA

- Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs: 32 nC @ 10 V

- Vgs (máx.): ±30V

 -Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds: 1311 pF @ 100 V

- Dissipação de potência (máx.): 59,5W (Tc)

- Temperatura de operação: -55°C a 150°C (TJ)

- Tipo de montagem: Furo passante

- Invólucro do dispositivo fornecido: ITO-220S

- Pacote / Invólucro: Pacote completo TO-220-3

- Número base de produto: TSM60