MOSFET CANAL N 58A 800V 500W TO247
Transistor Mosfet de canal N, 58A, 800V, 500W com caixa TO247
FCH060N80
- Fabricante: onsemi
- Séries: SuperFET II
- Tipo de FET: Canal N
- Tecnologia: MOSFET (óxido metálico)
- Tensão dreno-fonte (Vdss): 800 V
- Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C: 56A (Tc)
- Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds on (máx.) para Id, Vgs: 60mOhm a 29A, 10V
- Vgs(th) (máx.) para Id: 4,5V a 5,8mA
- Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs: 350 nC @ 10 V
- Vgs (máx.): ±20V
- Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds: 14685 pF @ 100 V
- Dissipação de potência (máx.): 500W (Tc)
- Temperatura de operação: -55°C a 150°C (TJ)
- Tipo de montagem: Furo passante
- Invólucro do dispositivo fornecido: TO-247-3