MOSFET CANAL N 58A 800V 500W TO247

FCH060N80
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Transistor Mosfet de canal N, 58A, 800V, 500W com caixa TO247

FCH060N80
  • Fabricante: onsemi
  • Séries: SuperFET II
  • Tipo de FET: Canal N
  • Tecnologia: MOSFET (óxido metálico)
  • Tensão dreno-fonte (Vdss): 800 V
  • Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C: 56A (Tc)
  • Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds on (máx.) para Id, Vgs: 60mOhm a 29A, 10V
  • Vgs(th) (máx.) para Id: 4,5V a 5,8mA
  • Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs: 350 nC @ 10 V
  • Vgs (máx.): ±20V
  • Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds: 14685 pF @ 100 V
  • Dissipação de potência (máx.): 500W (Tc)
  • Temperatura de operação: -55°C a 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem: Furo passante
  • Invólucro do dispositivo fornecido: TO-247-3

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