TRANSISTOR N-MOSFET HEXFET DIL DIP4
- Fabricante: VISHAY
- Tipo de transístor: N-MOSFET
IRFD110
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 0.71A
- Potência dissipada: 1.3W
- Carcaça: DIP4
- Tensão porta-fonte: ±20V
- Resistência no estado de condução: 540mΩ
- Montagem: THT
- Carga da porta: 8.3nC
- Espécie de canal: enriquecido
- Peso bruto: 0.314 g