TRANSISTOR N-MOSFET HEXFET DIL DIP4

IRFD110
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  • Fabricante: VISHAY
  • Tipo de transístor: N-MOSFET

IRFD110
  • Polarização: unipolar
  • Tensão dreno-fonte: 100V
  • Corrente de dreno: 0.71A
  • Potência dissipada: 1.3W
  • Carcaça: DIP4
  • Tensão porta-fonte: ±20V
  • Resistência no estado de condução: 540mΩ
  • Montagem: THT
  • Carga da porta: 8.3nC
  • Espécie de canal: enriquecido
  • Peso bruto: 0.314 g

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