Tipo de canal: canal N

Polaridade do transistor: canal N

• Modo de aprimoramento de canal N de nível padrão.
• Transistor de efeito de campo (FET) num pacote de plástico usando a tecnologia TrenchMOS.
• Este produto foi projetado e qualificado de acordo com o padrão AEC apropriado para uso em aplicações automotivas críticas.

Características e benefícios:

• Baixas perdas de condução devido à baixa resistência no estado ligado
• Compatível com Q101
• Adequado para fontes de acionamento de portão de nível padrão
• Adequado para ambientes termicamente exigentes devido à classificação de 175 °C

Aplicações:

• Cargas de 12 V e 24 V
• Sistemas automotivos
• Comutação de energia de uso geral
• Motores, lâmpadas e solenoides